Se avecina la memoria plástica
Por un lado, la industria del microprocesador de silicio sigue tratando de exprimirlo o comprimirlo- hasta lo inimaginable. Otro sector se encamina a dar una sorpresa: los chips de material plástico.
Mientras una "tercera vía" (la fotónica) espera su hora,
en ciertos laboratorios se trabaja ya con circuitos integrados, pantallas de dispositivos
inalámbricos y hasta células solares a partir de conductores inscriptos
en polímeros, no en silicio; potencialmente más baratos, flexibles
y versátiles. Se sabe que por lo menos dos fabricantes líderes de
microprocesadores compiten cabeza a cabeza en el desarrollo del nuevo arsenal
tecnológico: las memorias poliméricas.
Advance Micro Devices (AMD, California) trabaja en conjunto con Coatue,
una firma de vanguardia (Massachusetts) con vistas a chips capaces de almacenar
datos en polímeros, no ya en láminas de silicio. Según
Andrew Perlman, CEO de Coatue, "esta tecnología podría resultar
en alternativas menos costosas y más densas a los chips de memoria instalados
en el flash de una cámara digital o en los sistemas MP3".
Entretanto, Intel y la sueca Thin Film Technologies colaboran
en un proyecto similar. Sus metas en materia de capacidad y costos son casi
las mismas.
Ambos equipos sostienen que, en el largo plazo, la microelectrónica
en polímeros terminará siendo más barata de fabricar y
aplicar que la convencional. En vez de equipos multimillonarios que inscriben
circuitos en placas de silicio, la nueva tecnología permitirá
eventualmente usar impresoras a chorro de tinta para rociar circuitos poliméricos
fluidos sobre una superficie.
Estas futuras "memorias plásticas" presuponen una virtud adicional:
a diferencia de las instaladas en cualquier PC, retienen automáticamente
información aun si la máquina se apaga, hay cortes de energía
o fallas de alimentación. Esto ofrece ventajas potenciales tan atractivas
como no volver nunca a esperar que la máquina cargue programas y datos
una vez encendida.
Existen tecnologías menos volátiles que la de silicio, pero la
de polímeros permitirá almacenar muchos más datos que cualquiera
de ellas, porque recurrirá a procedimientos muy distintos.En lugar de
códigos binarios 01, los semiconductores de Coatue almacenarán
información basándose en la resistencia eléctrica del polímero.
A partir de métodos con licencia de la universidad de California (Los
Ángeles) y la Academia Rusa de Ciencias, filial Novosyíbirsk,
la firma arma cada célula de memoria como si fuese un emparedado: un
polímero entre dos electrodos. Al aplicarse un campo eléctrico,
disminuye la resistencia del polímero, lo cual aumenta su capacidad de
conducir corriente. El polímero se mantiene en ese estado hasta que un
campo de polaridad opuesta eleva la resistencia al nivel original. Los diferentes
estados de conductividad representan bitios de información.
El tamaño de estas células es casi un cuarto del habitual en
las de silicio y, al contrario de ellas, pueden organizarse en estructuras tridimensionales.
Esta arquitectura podría traducirse en chips cuya capacidad de memoria
sea varias veces superior a la de los circuitos flash. Hacia 2004, espera Coatue,
"sería posible poner en mercado semiconductores capaces de almacenar
hasta 32 gigabitios. La memoria flash sólo llegará a dos para
entonces".
Mientras una "tercera vía" (la fotónica) espera su hora,
en ciertos laboratorios se trabaja ya con circuitos integrados, pantallas de dispositivos
inalámbricos y hasta células solares a partir de conductores inscriptos
en polímeros, no en silicio; potencialmente más baratos, flexibles
y versátiles. Se sabe que por lo menos dos fabricantes líderes de
microprocesadores compiten cabeza a cabeza en el desarrollo del nuevo arsenal
tecnológico: las memorias poliméricas.
Advance Micro Devices (AMD, California) trabaja en conjunto con Coatue,
una firma de vanguardia (Massachusetts) con vistas a chips capaces de almacenar
datos en polímeros, no ya en láminas de silicio. Según
Andrew Perlman, CEO de Coatue, "esta tecnología podría resultar
en alternativas menos costosas y más densas a los chips de memoria instalados
en el flash de una cámara digital o en los sistemas MP3".
Entretanto, Intel y la sueca Thin Film Technologies colaboran
en un proyecto similar. Sus metas en materia de capacidad y costos son casi
las mismas.
Ambos equipos sostienen que, en el largo plazo, la microelectrónica
en polímeros terminará siendo más barata de fabricar y
aplicar que la convencional. En vez de equipos multimillonarios que inscriben
circuitos en placas de silicio, la nueva tecnología permitirá
eventualmente usar impresoras a chorro de tinta para rociar circuitos poliméricos
fluidos sobre una superficie.
Estas futuras "memorias plásticas" presuponen una virtud adicional:
a diferencia de las instaladas en cualquier PC, retienen automáticamente
información aun si la máquina se apaga, hay cortes de energía
o fallas de alimentación. Esto ofrece ventajas potenciales tan atractivas
como no volver nunca a esperar que la máquina cargue programas y datos
una vez encendida.
Existen tecnologías menos volátiles que la de silicio, pero la
de polímeros permitirá almacenar muchos más datos que cualquiera
de ellas, porque recurrirá a procedimientos muy distintos.En lugar de
códigos binarios 01, los semiconductores de Coatue almacenarán
información basándose en la resistencia eléctrica del polímero.
A partir de métodos con licencia de la universidad de California (Los
Ángeles) y la Academia Rusa de Ciencias, filial Novosyíbirsk,
la firma arma cada célula de memoria como si fuese un emparedado: un
polímero entre dos electrodos. Al aplicarse un campo eléctrico,
disminuye la resistencia del polímero, lo cual aumenta su capacidad de
conducir corriente. El polímero se mantiene en ese estado hasta que un
campo de polaridad opuesta eleva la resistencia al nivel original. Los diferentes
estados de conductividad representan bitios de información.
El tamaño de estas células es casi un cuarto del habitual en
las de silicio y, al contrario de ellas, pueden organizarse en estructuras tridimensionales.
Esta arquitectura podría traducirse en chips cuya capacidad de memoria
sea varias veces superior a la de los circuitos flash. Hacia 2004, espera Coatue,
"sería posible poner en mercado semiconductores capaces de almacenar
hasta 32 gigabitios. La memoria flash sólo llegará a dos para
entonces".
