Avance en el diseño de transistores para chips
Intel combinó una serie de nuevos materiales para solucionar problemas decisivos de energía, que ayudan a operar a una menor temperatura.
Intel Corporation anunció que sus investigadores desarrollaron una innovadora estructura de transistor y nuevos materiales que representan una mejora apreciable en velocidad, eficiencia en el consumo de energía y reducción del calentamiento de transistores.
El desarrollo de la tecnología es un acontecimiento importante en el esfuerzo por mantener el paso de la Ley de Moore y hacer a un lado los obstáculos técnicos que Intel y la industria de los semiconductores tan sólo acaban de comenzar a identificar.
Este adelanto en tecnología, a la par de anuncios recientes de Intel acerca de transistores más rápidos y pequeños, hará posibles nuevas aplicaciones poderosas como reconocimiento de voz y rostros en tiempo en real, operación de computadoras sin teclados y dispositivos de cómputo más compactos con mayor desempeño y duración de la batería.
“Nuestra investigación ha demostrado que podemos continuar produciendo transistores más pequeños y rápidos, pero que hay problemas fundamentales que necesitamos solucionar con respecto al consumo de energía, generación de calor y fugas de corriente”, dijo Gerald Marcyk, director de investigación de componentes de Intel Labs.
“Nuestra meta es superar estos obstáculos y producir chips que tengan 25 veces el número de transistores de los microprocesadores actuales a 10 veces la velocidad sin incremento en el consumo de energía”.
El 3 de diciembre próximo en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM, International Electron Device Meeting), a realizar en Washington, los investigadores de Intel discutirán dos elementos importantes de la nueva estructura de los transistores.
Los documentos técnicos de Intel abordarán problemas de consumo de energía, fuga de corriente y calentamiento con dos mejoras significativas al diseño actual de los transistores: un nuevo tipo de transistor llamado “transistor de sustrato agotado” y un nuevo material llamado “dieléctrico de puerta de alto k”.
Intel Corporation anunció que sus investigadores desarrollaron una innovadora estructura de transistor y nuevos materiales que representan una mejora apreciable en velocidad, eficiencia en el consumo de energía y reducción del calentamiento de transistores.
El desarrollo de la tecnología es un acontecimiento importante en el esfuerzo por mantener el paso de la Ley de Moore y hacer a un lado los obstáculos técnicos que Intel y la industria de los semiconductores tan sólo acaban de comenzar a identificar.
Este adelanto en tecnología, a la par de anuncios recientes de Intel acerca de transistores más rápidos y pequeños, hará posibles nuevas aplicaciones poderosas como reconocimiento de voz y rostros en tiempo en real, operación de computadoras sin teclados y dispositivos de cómputo más compactos con mayor desempeño y duración de la batería.
“Nuestra investigación ha demostrado que podemos continuar produciendo transistores más pequeños y rápidos, pero que hay problemas fundamentales que necesitamos solucionar con respecto al consumo de energía, generación de calor y fugas de corriente”, dijo Gerald Marcyk, director de investigación de componentes de Intel Labs.
“Nuestra meta es superar estos obstáculos y producir chips que tengan 25 veces el número de transistores de los microprocesadores actuales a 10 veces la velocidad sin incremento en el consumo de energía”.
El 3 de diciembre próximo en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM, International Electron Device Meeting), a realizar en Washington, los investigadores de Intel discutirán dos elementos importantes de la nueva estructura de los transistores.
Los documentos técnicos de Intel abordarán problemas de consumo de energía, fuga de corriente y calentamiento con dos mejoras significativas al diseño actual de los transistores: un nuevo tipo de transistor llamado “transistor de sustrato agotado” y un nuevo material llamado “dieléctrico de puerta de alto k”.
