Silicio: el principio del fin

Un método para obtener películas de diamante sintético desarrollado en Colombia podría reemplazar el silicio en la fabricación de circuitos aplicados a la informática.

29 noviembre, 2000

(EFE).- Un grupo de científicos de la Universidad Nacional de Colombia (UNCol) ha desarrollado en la ciudad andina de Manizales un procedimiento para la obtención de películas de diamante sintético a partir de carbón mineral, según informó el diario El Tiempo de Bogotá.

El método fue descubierto por el Laboratorio de Física del Plasma en la sede de la Universidad Nacional en Manizales (capital del departamento de Caldas), y permite la fabricación del material en menos de un segundo, señaló el matutino.

Las propiedades físicas de la película de diamante artificial son comparables a las del diamante natural y el método se encuentra en proceso de registro de patentes.

El material artificial para recubrir superficies puede reemplazar al silicio utilizado en la industria informática en la fabricación de circuitos microelectrónicos para computadoras, así como en equipos médicos de gran precisión y aparatos ópticos y aeronáuticos.

El método, denominado plasma de arco pulsado, consiste en una descarga eléctrica sobre un sustrato específico, con el objetivo de alterar su estructura molecular.

El equipo de investigación construyó un sistema computarizado que en tiempos, presiones y temperaturas cuidadosamente calculadas genera un bombardeo iónico y electrónico, que transmite toda la energía del plasma a la pieza de carbón.

Según los investigadores colombianos, las primeras investigaciones sobre la producción artificial de diamante se realizaron en la antigua Unión Soviética en 1950.

(EFE).- Un grupo de científicos de la Universidad Nacional de Colombia (UNCol) ha desarrollado en la ciudad andina de Manizales un procedimiento para la obtención de películas de diamante sintético a partir de carbón mineral, según informó el diario El Tiempo de Bogotá.

El método fue descubierto por el Laboratorio de Física del Plasma en la sede de la Universidad Nacional en Manizales (capital del departamento de Caldas), y permite la fabricación del material en menos de un segundo, señaló el matutino.

Las propiedades físicas de la película de diamante artificial son comparables a las del diamante natural y el método se encuentra en proceso de registro de patentes.

El material artificial para recubrir superficies puede reemplazar al silicio utilizado en la industria informática en la fabricación de circuitos microelectrónicos para computadoras, así como en equipos médicos de gran precisión y aparatos ópticos y aeronáuticos.

El método, denominado plasma de arco pulsado, consiste en una descarga eléctrica sobre un sustrato específico, con el objetivo de alterar su estructura molecular.

El equipo de investigación construyó un sistema computarizado que en tiempos, presiones y temperaturas cuidadosamente calculadas genera un bombardeo iónico y electrónico, que transmite toda la energía del plasma a la pieza de carbón.

Según los investigadores colombianos, las primeras investigaciones sobre la producción artificial de diamante se realizaron en la antigua Unión Soviética en 1950.

Compartir:
Notas Relacionadas

Suscripción Digital

Suscríbase a Mercado y reciba todos los meses la mas completa información sobre Economía, Negocios, Tecnología, Managment y más.

Suscribirse Archivo Ver todos los planes

Newsletter


Reciba todas las novedades de la Revista Mercado en su email.

Reciba todas las novedades