NEC desarrolla memoria de bajo consumo
El nuevo sistema de 16MB para dispositivos móviles, incluye estructura de refresco automática y sistema de circuito eléctrico de energía. NEC planea presentar las muestras en octubre y luego fabricará 1 millón de unidades por mes.
NEC anunció la creación de una memoria RAM de bajo consumo, destinada al mercado de aplicaciones móviles como teléfonos y otros equipos portátiles.
El dispositivo de 16MB llamado uPD4616112, proporciona funcionalidad completa y sus conectores son compatibles con los dispositivos convencionales SRAM (Static RAM).
Las primeras muestras de la memoria uPD4616112 estarán disponibles a partir de octubre, y NEC espera iniciar su fabricación masiva para marzo de 2001, a un ritmo de 1 millón de unidades al mes.
La nueva memoria utiliza celdas DRAM organizadas, de forma que estas se refrescan automáticamente dentro del chip y no requieren control de refresco fuera del mismo, permitiendo así que las nuevas unidades de memoria reemplacen de forma fácil a las SRAM de bajo consumo, al tiempo que ofrecen una mayor funcionalidad.
Estas innovaciones en el diseño, incluyendo una estructura de refresco mejorada y un sistema de circuitos eléctricos de energía, permiten una disipación en reposo de 100 microamperios (uA) y una disipación en reposo de 10uA en modo apagado.
NEC anunció la creación de una memoria RAM de bajo consumo, destinada al mercado de aplicaciones móviles como teléfonos y otros equipos portátiles.
El dispositivo de 16MB llamado uPD4616112, proporciona funcionalidad completa y sus conectores son compatibles con los dispositivos convencionales SRAM (Static RAM).
Las primeras muestras de la memoria uPD4616112 estarán disponibles a partir de octubre, y NEC espera iniciar su fabricación masiva para marzo de 2001, a un ritmo de 1 millón de unidades al mes.
La nueva memoria utiliza celdas DRAM organizadas, de forma que estas se refrescan automáticamente dentro del chip y no requieren control de refresco fuera del mismo, permitiendo así que las nuevas unidades de memoria reemplacen de forma fácil a las SRAM de bajo consumo, al tiempo que ofrecen una mayor funcionalidad.
Estas innovaciones en el diseño, incluyendo una estructura de refresco mejorada y un sistema de circuitos eléctricos de energía, permiten una disipación en reposo de 100 microamperios (uA) y una disipación en reposo de 10uA en modo apagado.
