Chips: tecnologías para los próximos lustros
En general, la industria y los analistas creen que el silicio será modificado o desplazado por otros materiales en la fabricación de microprocesadores. No desaparecerá, pero cederá ante moléculas, puntos cuánticos y otras lindezas.
“Mejor hablemos de lustros, no de décadas. El ritmo de innovación
sigue aumentando, aunque la ley de Moore ya no se cumpla del todo”. Así
opina Christoph Wasshüber, experto que trabaja en el Instituto Suizo de Tecnología
Informática (TI), Lausana.
Precisamente, los esfuerzos para elevar el rendimiento de los semiconductores
y no dejar atrás a Gordon Moore llevan a experiencias inusitadas con
el silicio mismo y sus nacientes rivales. Así, IBM reveló haber
probado con éxito una técnica que permite ensamblar moléculas
en patrones de circuitos.
Científicos de Big Blue ven esto como probable alternativa a la fotolitografía,
método “convencional” para inscribir circuitos. Paralelamente,
Texas Instruments trabaja con Lausana en un proyecto propio: “sacar del
laboratorio” los transistores SET de un solo electrón.
Mientras miles de electrones pasan por los chips convencionales, los SET operan
detectando movimientos de electrones individuales. Hasta esta iniciativa, que
se presentará en breve, los SET se dedicaban esencialmente a almacenar
datos. Pero el equipo de Lausana ha hecho simulaciones, según las cuales
es factible combinar SET y transistores normales para funciones lógicas.
Estas tecnologías quizá se apliquen después de 2007, aunque
no hay mucho tiempo. Como decía Wasshüber, “reducir el tamaño
de los transistores comunes resulta cada vez más difìcil y caro,
sin generar ventajas ni rentabilidad suficientes”.
Otra opción es el silicio tensado. Esto es, una técnica que emplea
materiales capaces de comprimir o expandir átomos en capas del silicio.
Eso hará que los electrones fluyan más rápido. Firmas como
AmberWave Systems trabajan adaptando el método para modificar las láminas
de silicio usadas en la producción de chips.
Por su parte, el gigante Intel refuerza el silicio apelando a otras técnicas.
La empresa tomó desprevenido al sector, ya en 2002, anunciado que emplearía
silicio tensado en un proceso que ahora está en marcha. La firma ofrecerá
detalles en el mismo foro (International Electron Microdevices) donde Texas
Instruments presentará su técnica SET.
Otros fabricantes tratan de no perder el tren. La poderosa Taiwan Semiconductor
Manufacturing Co investiga un sistema basado en “estirar” átomos
de silicio en diferente dirección. La idea es acelerar hasta 1,45 veces
el flujo de su corriente. Además, la firma asegura haber producido una
celda de almacenamiento para chips SRAM (“static random access memory”,
o sea memoria de acceso aleatorio estático). Estos microprocesadores
son 21% más chicos que las celdas de Intel.
La gama de innovaciones incluye una más drástica: mejorar rindes
vía transistores con más de una entrada, donde el factor activo
prenda y apague el circuito. Eso requiere una estructura tridimensional que
se prolonga sobre la superficie del chip, lo cual plantea complejos problemas
de fabricación. En el foro aludido, Advanced MicroDevices proporcionará
detalles de algo aún más avanzado: el transistor de tres entradas,
previsto ya para después de 2005.
El horizonte a mediano plazo abarca, además, chips moleculares y nuevos
aislantes. En su caso, el objeto será prevenir que la corriente pase
al interior de los semiconductores, algo que malgasta energía generando
calor.
“Mejor hablemos de lustros, no de décadas. El ritmo de innovación
sigue aumentando, aunque la ley de Moore ya no se cumpla del todo”. Así
opina Christoph Wasshüber, experto que trabaja en el Instituto Suizo de Tecnología
Informática (TI), Lausana.
Precisamente, los esfuerzos para elevar el rendimiento de los semiconductores
y no dejar atrás a Gordon Moore llevan a experiencias inusitadas con
el silicio mismo y sus nacientes rivales. Así, IBM reveló haber
probado con éxito una técnica que permite ensamblar moléculas
en patrones de circuitos.
Científicos de Big Blue ven esto como probable alternativa a la fotolitografía,
método “convencional” para inscribir circuitos. Paralelamente,
Texas Instruments trabaja con Lausana en un proyecto propio: “sacar del
laboratorio” los transistores SET de un solo electrón.
Mientras miles de electrones pasan por los chips convencionales, los SET operan
detectando movimientos de electrones individuales. Hasta esta iniciativa, que
se presentará en breve, los SET se dedicaban esencialmente a almacenar
datos. Pero el equipo de Lausana ha hecho simulaciones, según las cuales
es factible combinar SET y transistores normales para funciones lógicas.
Estas tecnologías quizá se apliquen después de 2007, aunque
no hay mucho tiempo. Como decía Wasshüber, “reducir el tamaño
de los transistores comunes resulta cada vez más difìcil y caro,
sin generar ventajas ni rentabilidad suficientes”.
Otra opción es el silicio tensado. Esto es, una técnica que emplea
materiales capaces de comprimir o expandir átomos en capas del silicio.
Eso hará que los electrones fluyan más rápido. Firmas como
AmberWave Systems trabajan adaptando el método para modificar las láminas
de silicio usadas en la producción de chips.
Por su parte, el gigante Intel refuerza el silicio apelando a otras técnicas.
La empresa tomó desprevenido al sector, ya en 2002, anunciado que emplearía
silicio tensado en un proceso que ahora está en marcha. La firma ofrecerá
detalles en el mismo foro (International Electron Microdevices) donde Texas
Instruments presentará su técnica SET.
Otros fabricantes tratan de no perder el tren. La poderosa Taiwan Semiconductor
Manufacturing Co investiga un sistema basado en “estirar” átomos
de silicio en diferente dirección. La idea es acelerar hasta 1,45 veces
el flujo de su corriente. Además, la firma asegura haber producido una
celda de almacenamiento para chips SRAM (“static random access memory”,
o sea memoria de acceso aleatorio estático). Estos microprocesadores
son 21% más chicos que las celdas de Intel.
La gama de innovaciones incluye una más drástica: mejorar rindes
vía transistores con más de una entrada, donde el factor activo
prenda y apague el circuito. Eso requiere una estructura tridimensional que
se prolonga sobre la superficie del chip, lo cual plantea complejos problemas
de fabricación. En el foro aludido, Advanced MicroDevices proporcionará
detalles de algo aún más avanzado: el transistor de tres entradas,
previsto ya para después de 2005.
El horizonte a mediano plazo abarca, además, chips moleculares y nuevos
aislantes. En su caso, el objeto será prevenir que la corriente pase
al interior de los semiconductores, algo que malgasta energía generando
calor.
